BSP149H6327XTSA1
BSP149H6327XTSA1
رقم القطعة:
BSP149H6327XTSA1
الصانع:
International Rectifier (Infineon Technologies)
وصف:
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
17861 Pieces
ورقة البيانات:
BSP149H6327XTSA1.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BSP149H6327XTSA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BSP149H6327XTSA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى BSP149H6327XTSA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:1V @ 400µA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PG-SOT223-4
سلسلة:SIPMOS®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:1.8 Ohm @ 660mA, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):1.8W (Ta)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:TO-261-4, TO-261AA
اسماء اخرى:BSP149H6327XTSA1TR
SP001058818
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:10 Weeks
الصانع الجزء رقم:BSP149H6327XTSA1
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:430pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:14nC @ 5V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:Depletion Mode
وصف موسع:N-Channel 200V 660mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):-
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):200V
وصف:MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:660mA (Ta)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات