يشترى BSP149H6906XTSA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
BSP149H6906XTSA1
- رقم القطعة:
- BSP149H6906XTSA1
- وصف:
- MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14369 Pieces
- ورقة البيانات:
- BSP149H6906XTSA1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BSP149H6906XTSA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BSP149H6906XTSA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1V @ 400µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-SOT223-4 |
| سلسلة: | SIPMOS® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 1.8 Ohm @ 660mA, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 1.8W (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-261-4, TO-261AA |
| اسماء اخرى: | BSP149H6906XTSA1TR SP001058604 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | BSP149H6906XTSA1 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 430pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 14nC @ 5V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | Depletion Mode |
| وصف موسع: | N-Channel 200V 660mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4 |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | - |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 200V |
| وصف: | MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 660mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBSP149H6906XTSA1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
STW50N65DM2AG | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 28A | تحقيق |
 |
BSP149H6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 | تحقيق |
|
BSP149 E6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 | تحقيق |
 |
2N7002-TP | Micro Commercial Co | MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23 | تحقيق |
|
BSP149L6906HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 | تحقيق |
 |
IRFU9210 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 200V 1.9A I-PAK | تحقيق |
|
BSP149L6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 | تحقيق |
 |
IRFH5220TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 3.8A PQFN | تحقيق |
|
BSP149 E6906 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 | تحقيق |
 |
SI2309CDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3 | تحقيق |
 |
IPA80R1K0CEXKSA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V TO-220-3 | تحقيق |
|
SI4896DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-SOIC | تحقيق |
 |
2N6849U | Microsemi Corporation | MOSFET P-CH 100V 18-LCC | تحقيق |
 |
EPC8007ENGR | EPC | TRANS GAN 40V 3.8A BUMPED DIE | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog