يشترى BSP171PE6327 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
BSP171PE6327
- رقم القطعة:
- BSP171PE6327
- وصف:
- MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15504 Pieces
- ورقة البيانات:
- BSP171PE6327.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BSP171PE6327 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BSP171PE6327 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2V @ 460µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-SOT223-4 |
| سلسلة: | SIPMOS® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 300 mOhm @ 1.9A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 1.8W (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-261-4, TO-261AA |
| اسماء اخرى: | BSP171PE6327INTR SP000012134 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | BSP171PE6327 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 460pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 20nC @ 10V |
| نوع FET: | P-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | P-Channel 60V 1.9A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 60V |
| وصف: | MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 1.9A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBSP171PE6327
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BSP171PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 | تحقيق |
 |
FQP50N06L | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 52.4A TO-220 | تحقيق |
|
BSP171PE6327T | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 | تحقيق |
|
BSP170PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 | تحقيق |
|
BSP171PL6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT-223 | تحقيق |
 |
IXFH96N20P | IXYS | MOSFET N-CH 200V 96A TO-247 | تحقيق |
|
BSP170PE6327 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 | تحقيق |
|
BSP179H6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 400V 0.21A SOT-223 | تحقيق |
 |
IPB70N12S311ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL_100+ | تحقيق |
|
BSP170PL6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT-223 | تحقيق |
|
IRFR3806PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 43A DPAK | تحقيق |
|
BSP170PE6327T | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 | تحقيق |
 |
IXFR38N80Q2 | IXYS | MOSFET N-CH 800V 28A ISOPLUS247 | تحقيق |
 |
MCH6320-TL-E | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 12V 3.5A MCPH6 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog