يشترى BSP170PE6327T مع BYCHPS
شراء مع ضمان
BSP170PE6327T
- رقم القطعة:
- BSP170PE6327T
- وصف:
- MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17045 Pieces
- ورقة البيانات:
- BSP170PE6327T.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BSP170PE6327T ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BSP170PE6327T عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-SOT223-4 |
| سلسلة: | SIPMOS® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 300 mOhm @ 1.9A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 1.8W (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-261-4, TO-261AA |
| اسماء اخرى: | BSP170PE6327XTINTR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | BSP170PE6327T |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 410pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 14nC @ 10V |
| نوع FET: | P-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | P-Channel 60V 1.9A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 60V |
| وصف: | MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 1.9A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBSP170PE6327T
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BSP170PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 | تحقيق |
|
BSP170PE6327 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 | تحقيق |
 |
IXFT32N50 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 32A TO-268 | تحقيق |
|
BSP179H6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 400V 0.21A SOT-223 | تحقيق |
 |
NVTFS4C25NWFTAG | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 10.1A U8FL | تحقيق |
|
BSP171PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 | تحقيق |
 |
BSC0909NSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 34V 44A 8TDSON | تحقيق |
|
BSP170PL6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT-223 | تحقيق |
|
BSP171PL6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT-223 | تحقيق |
|
BSP171PE6327T | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 | تحقيق |
|
BSP171PE6327 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 | تحقيق |
 |
MMBF170Q-7-F | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 0.5A SOT23-3 | تحقيق |
|
ZVP3310FTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V 0.075A SOT23-3 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog