يشترى BSS138BKW,115 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
BSS138BKW,115
- رقم القطعة:
- BSS138BKW,115
- الصانع:
- Nexperia
- وصف:
- MOSFET N-CH 60V SOT323
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14314 Pieces
- ورقة البيانات:
- BSS138BKW,115.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BSS138BKW,115 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BSS138BKW,115 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1.6V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-323-3 |
| سلسلة: | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 1.6 Ohm @ 320mA, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 260mW (Ta), 830mW (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | SC-70, SOT-323 |
| اسماء اخرى: | 1727-1262-2 568-10470-2 568-10470-2-ND 934065731115 BSS138BKW,115-ND BSS138BKW115 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | BSS138BKW,115 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 56pF @ 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 0.7nC @ 4.5V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 60V 320mA (Ta) 260mW (Ta), 830mW (Tc) Surface Mount SOT-323-3 |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 60V |
| وصف: | MOSFET N-CH 60V SOT323 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 320mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBSS138BKW,115
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BSS138P,215 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 360MA TO-236AB | تحقيق |
 |
BSS138BKS,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP | تحقيق |
 |
IRL640STRRPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK | تحقيق |
 |
BSS138PW,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323 | تحقيق |
 |
IXFY4N85X | IXYS | MOSFET N-CH 850V 3.5A TO252-3 | تحقيق |
|
BSS138PS,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP | تحقيق |
|
BSS138AKAR | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-236AB | تحقيق |
 |
2N6661JTVP02 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205 | تحقيق |
 |
DN2470K4-G | Microchip Technology | MOSFET N-CH 700V 0.17A 3DPAK | تحقيق |
|
BSS138BK,215 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V TO-236AB | تحقيق |
 |
JANTXV2N7224 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 100V 34A | تحقيق |
 |
IPP60R360P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 9A TO220-3 | تحقيق |
 |
FDS6682 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC | تحقيق |
 |
BUK7611-55A,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog