يشترى BSS138PW,115 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
BSS138PW,115
- رقم القطعة:
- BSS138PW,115
- الصانع:
- Nexperia
- وصف:
- MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 19036 Pieces
- ورقة البيانات:
- BSS138PW,115.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BSS138PW,115 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BSS138PW,115 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1.5V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-323-3 |
| سلسلة: | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 1.6 Ohm @ 300mA, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 260mW (Ta), 830mW (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | SC-70, SOT-323 |
| اسماء اخرى: | 1727-1143-2 568-10309-2 568-10309-2-ND 934064987115 BSS138PW,115-ND BSS138PW115 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TA) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | BSS138PW,115 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 50pF @ 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 0.8nC @ 4.5V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 60V 320mA (Ta) 260mW (Ta), 830mW (Tc) Surface Mount SOT-323-3 |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 60V |
| وصف: | MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 320mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBSS138PW,115
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BSS138BK,215 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V TO-236AB | تحقيق |
 |
IRF630SPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK | تحقيق |
 |
IXTA180N10T | IXYS | MOSFET N-CH 100V 180A TO-263 | تحقيق |
 |
SSM3K302T(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 3A TSM | تحقيق |
 |
BSS138PS,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP | تحقيق |
 |
NTTFS5C673NLTAG | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 13A WDFN8 | تحقيق |
|
BSS138P,215 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 360MA TO-236AB | تحقيق |
 |
BSS138BKW,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V SOT323 | تحقيق |
|
BSS138BKS,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP | تحقيق |
 |
SIE848DF-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK | تحقيق |
|
BSS138AKAR | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-236AB | تحقيق |
 |
DMG7401SFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 9.8A POWERDI3333 | تحقيق |
 |
IRFU020PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 14A I-PAK | تحقيق |
 |
IRFP4332PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 250V 57A TO-247AC | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers