يشترى BSS670S2L H6327 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
BSS670S2L H6327
- رقم القطعة:
- BSS670S2L H6327
- وصف:
- MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15892 Pieces
- ورقة البيانات:
- BSS670S2L H6327.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BSS670S2L H6327 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BSS670S2L H6327 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2V @ 2.7µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-SOT23-3 |
| سلسلة: | OptiMOS™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 650 mOhm @ 270mA, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 360mW (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Original-Reel® |
| حزمة / كيس: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| اسماء اخرى: | BSS670S2L H6327DKR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | BSS670S2L H6327 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 75pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 2.26nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 55V 540mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23-3 |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 4.5V, 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 55V |
| وصف: | MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 540mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBSS670S2L H6327
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BSS670S2LL6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 540MA SOT-23 | تحقيق |
|
BSS670S2L | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 540MA SOT-23 | تحقيق |
 |
2SK2544(F) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 6A TO-220AB | تحقيق |
|
BSS670S2LH6433XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23 | تحقيق |
 |
NVD5C688NLT4G | ON Semiconductor | T6 60V LL DPAK | تحقيق |
 |
HUFA76443S3ST | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK | تحقيق |
 |
IPB03N03LB G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A TO-263 | تحقيق |
 |
TK10V60W,LVQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 9.7A 5DFN | تحقيق |
 |
PH6530AL,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V LFPAK | تحقيق |
 |
PHW80NQ10T,127 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 80A SOT429 | تحقيق |
 |
SI5432DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 6A 1206-8 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog