يشترى BSZ0909NDXTMA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
BSZ0909NDXTMA1
- رقم القطعة:
- BSZ0909NDXTMA1
- وصف:
- MOSFET 2N-CH 30V 20A 8WISON
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15197 Pieces
- ورقة البيانات:
- BSZ0909NDXTMA1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BSZ0909NDXTMA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BSZ0909NDXTMA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-WISON-8 |
| سلسلة: | OptiMOS™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 18 mOhm @ 9A, 10V |
| السلطة - ماكس: | 17W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 8-PowerVDFN |
| اسماء اخرى: | BSZ0909NDXTMA1TR SP001637282 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 14 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | BSZ0909NDXTMA1 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 360pF @ 15V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 2.6nC @ 4.5V |
| نوع FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET الميزة: | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
| وصف موسع: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 20A (Tc) 17W Surface Mount PG-WISON-8 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف: | MOSFET 2N-CH 30V 20A 8WISON |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 20A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBSZ0909NDXTMA1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BSZ0909NSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 34V 9A 8TSDSON | تحقيق |
 |
APTM60A11FT1G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 600V 40A SP1 | تحقيق |
|
BSZ0901NS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V S308 | تحقيق |
 |
BSZ0901NSI | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON | تحقيق |
 |
SI5513CDC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8 | تحقيق |
|
BSZ0902NSI | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 21A TSDSON-8 | تحقيق |
|
BSZ0904NSI | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON | تحقيق |
|
BSZ097N04LS G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8 | تحقيق |
|
BSZ096N10LS5ATMA1 | Infineon Technologies | MV POWER MOS | تحقيق |
|
BSZ0902NS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 | تحقيق |
 |
SI1034X-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 0.18A SOT563F | تحقيق |
|
BSZ099N06LS5ATMA1 | Infineon Technologies | MV POWER MOS | تحقيق |
|
BSZ097N10NS5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON-8 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog