يشترى BSZ0909NSATMA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
BSZ0909NSATMA1
- رقم القطعة:
- BSZ0909NSATMA1
- وصف:
- MOSFET N-CH 34V 9A 8TSDSON
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14560 Pieces
- ورقة البيانات:
- BSZ0909NSATMA1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BSZ0909NSATMA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BSZ0909NSATMA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-TSDSON-8 |
| سلسلة: | OptiMOS™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 12 mOhm @ 20A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 2.1W (Ta), 25W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 8-PowerTDFN |
| اسماء اخرى: | BSZ0909NS BSZ0909NS-ND BSZ0909NSTR-ND SP000832568 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | BSZ0909NSATMA1 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1310pF @ 15V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 17nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 34V 9A (Ta), 36A (Tc) 2.1W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8 |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 4.5V, 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 34V |
| وصف: | MOSFET N-CH 34V 9A 8TSDSON |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 9A (Ta), 36A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBSZ0909NSATMA1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BSZ0901NSI | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON | تحقيق |
 |
SI4892DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 8.8A 8-SOIC | تحقيق |
|
BSZ0902NS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 | تحقيق |
|
BSZ097N10NS5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON-8 | تحقيق |
|
BSZ096N10LS5ATMA1 | Infineon Technologies | MV POWER MOS | تحقيق |
 |
IPS050N03LGAKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3 | تحقيق |
|
BSZ0902NSI | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 21A TSDSON-8 | تحقيق |
 |
BSZ097N04LS G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8 | تحقيق |
 |
BSZ0909NDXTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 20A 8WISON | تحقيق |
|
BSZ0904NSI | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON | تحقيق |
 |
BUK9240-100A,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 33A DPAK | تحقيق |
|
BSZ0901NS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V S308 | تحقيق |
|
BSZ099N06LS5ATMA1 | Infineon Technologies | MV POWER MOS | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog