يشترى BUK7C3R1-80EJ مع BYCHPS
شراء مع ضمان
BUK7C3R1-80EJ
- رقم القطعة:
- BUK7C3R1-80EJ
- وصف:
- MOSFET N-CH 80V 200A D2PAK-7
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18334 Pieces
- ورقة البيانات:
- BUK7C3R1-80EJ.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BUK7C3R1-80EJ ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BUK7C3R1-80EJ عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | - |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | D2PAK (7-Lead) |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | - |
| تبديد الطاقة (ماكس): | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
| اسماء اخرى: | 934067493118 |
| درجة حرارة التشغيل: | - |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | BUK7C3R1-80EJ |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | - |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | - |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 80V Surface Mount D2PAK (7-Lead) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 80V |
| وصف: | MOSFET N-CH 80V 200A D2PAK-7 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBUK7C3R1-80EJ
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BUK7C5R4-100EJ | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 147A D2PAK-7 | تحقيق |
|
BUK7C2R2-60EJ | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 200A D2PAK-7 | تحقيق |
 |
STB33N60DM2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 24A | تحقيق |
|
BUK7C1R8-60EJ | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 200A D2PAK-7 | تحقيق |
 |
SUD19P06-60L-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 19A TO252 | تحقيق |
 |
IRLR9343TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 20A DPAK | تحقيق |
 |
IXTQ240N055T | IXYS | MOSFET N-CH 55V 240A TO-3P | تحقيق |
 |
CSD16323Q3C | Texas Instruments | MOSFET N-CH 25V 60A 8SON | تحقيق |
|
BUK7C4R5-100EJ | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 169A D2PAK-7 | تحقيق |
 |
IPP100N04S204AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3 | تحقيق |
 |
FDS4435A | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC | تحقيق |
 |
FDR858P | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 8A SSOT-8 | تحقيق |
|
BUK7C1R4-40EJ | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 200A D2PAK-7 | تحقيق |
|
BUK7C1R2-40EJ | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 200A D2PAK-7 | تحقيق |
|
BUK7C3R8-80EJ | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 80V 186A D2PAK-7 | تحقيق |
 |
VP1008B | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 100V .79A TO-205 | تحقيق |
 |
STL6N3LLH6 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V PWRFLT2X2 | تحقيق |
 |
SIE868DF-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 60A POLARPAK | تحقيق |
 |
SI4654DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 25V 28.6A 8-SOIC | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog