يشترى BUK7C1R8-60EJ مع BYCHPS
شراء مع ضمان
BUK7C1R8-60EJ
- رقم القطعة:
- BUK7C1R8-60EJ
- وصف:
- MOSFET N-CH 60V 200A D2PAK-7
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17461 Pieces
- ورقة البيانات:
- BUK7C1R8-60EJ.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BUK7C1R8-60EJ ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BUK7C1R8-60EJ عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | - |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | D2PAK (7-Lead) |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | - |
| تبديد الطاقة (ماكس): | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
| اسماء اخرى: | 934067491118 |
| درجة حرارة التشغيل: | - |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | BUK7C1R8-60EJ |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | - |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | - |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 60V Surface Mount D2PAK (7-Lead) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 60V |
| وصف: | MOSFET N-CH 60V 200A D2PAK-7 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBUK7C1R8-60EJ
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
PSMN035-150P,127 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 150V 50A SOT78 | تحقيق |
 |
NTMFD4952NFT3G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 10.8A SO8FL | تحقيق |
 |
SIRA20DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK SO-8 | تحقيق |
 |
BUK7C3R8-80EJ | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 80V 186A D2PAK-7 | تحقيق |
|
BUK7C1R2-40EJ | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 200A D2PAK-7 | تحقيق |
|
BUK7C1R4-40EJ | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 200A D2PAK-7 | تحقيق |
 |
STW14NK60Z | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 13.5A TO-247 | تحقيق |
|
BUK7C3R1-80EJ | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 80V 200A D2PAK-7 | تحقيق |
|
SIR800DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8 | تحقيق |
 |
IRFPG30PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-247AC | تحقيق |
|
BUK7C4R5-100EJ | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 169A D2PAK-7 | تحقيق |
 |
STH265N6F6-2AG | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-2 | تحقيق |
 |
FDPF5N50NZU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 3.9A TO-220F | تحقيق |
|
BUK7C5R4-100EJ | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 147A D2PAK-7 | تحقيق |
 |
SIHP15N60E-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 15A TO220AB | تحقيق |
 |
IRLR6225TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 100A DPAK | تحقيق |
|
BUK7C2R2-60EJ | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 200A D2PAK-7 | تحقيق |
 |
IRF630NSTRR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog