يشترى BUK98150-55,135 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
BUK98150-55,135
- رقم القطعة:
- BUK98150-55,135
- وصف:
- MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT-223
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 19464 Pieces
- ورقة البيانات:
- BUK98150-55,135.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BUK98150-55,135 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BUK98150-55,135 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2V @ 1mA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-223 |
| سلسلة: | TrenchMOS™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 150 mOhm @ 5A, 5V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 8.3W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-261-4, TO-261AA |
| اسماء اخرى: | 568-11882-2-ND 934050540135 BUK98150-55 /T3 BUK98150-55 /T3-ND BUK98150-55,135-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | BUK98150-55,135 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 330pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | - |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 55V 5.5A (Tc) 8.3W (Tc) Surface Mount SOT-223 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 55V |
| وصف: | MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT-223 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 5.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBUK98150-55,135
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IRFS4710PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK | تحقيق |
 |
SI4425BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC | تحقيق |
 |
BUK98180-100A,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 4.6A SOT-223 | تحقيق |
 |
IRF737LCPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 300V 6.1A TO-220AB | تحقيق |
|
BUK9875-100A,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 7A SOT-223 | تحقيق |
 |
BUK9880-55,135 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 7.5A SOT223 | تحقيق |
|
BUK98150-55A,135 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT-223 | تحقيق |
|
BUK9832-55A,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 12A SOT223 | تحقيق |
 |
DMP2035U-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 3.6A SOT-23 | تحقيق |
|
BUK9880-55A,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 7A SOT223 | تحقيق |
|
SI2333DS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3 | تحقيق |
 |
IRFL110 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223 | تحقيق |
 |
SIHF35N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 32A TO220 | تحقيق |
 |
SPU08P06P | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 8.83A TO-251 | تحقيق |
 |
SIA417DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 8V 12A SC70-6 | تحقيق |
 |
IXFN110N60P3 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 90A SOT227 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog