يشترى BUZ30A مع BYCHPS
شراء مع ضمان
BUZ30A
- رقم القطعة:
- BUZ30A
- وصف:
- MOSFET N-CH 200V 21A TO-220AB
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 19563 Pieces
- ورقة البيانات:
- BUZ30A.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BUZ30A ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BUZ30A عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 1mA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-TO-220-3 |
| سلسلة: | SIPMOS® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 130 mOhm @ 13.5A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 125W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-220-3 |
| اسماء اخرى: | BUZ30AIN BUZ30AX BUZ30AXK BUZ30AXTIN BUZ30AXTIN-ND SP000011336 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | BUZ30A |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1900pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | - |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 200V 21A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 200V |
| وصف: | MOSFET N-CH 200V 21A TO-220AB |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 21A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لBUZ30A
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
STB50NF25 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK | تحقيق |
 |
BUZ30A H | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3 | تحقيق |
 |
R6030KNZ1C9 | Rohm Semiconductor | NCH 600V 30A POWER MOSFET | تحقيق |
|
SUM40N15-38-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 150V 40A D2PAK | تحقيق |
|
BUZ30A E3045A | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 21A TO-263 | تحقيق |
 |
NTD4815N-35G | ON Semiconductor | MOSFET NCH 30V 6.9A IPAK TRIMMED | تحقيق |
|
BUZ30AH3045AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 21A TO-263 | تحقيق |
 |
IRFR420ATRPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 3.3A DPAK | تحقيق |
 |
IXTX4N300P3HV | IXYS | 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF | تحقيق |
 |
STF15N60M2-EP | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 11A EP TO220FP | تحقيق |
 |
IXFJ40N30 | IXYS | MOSFET N-CH 300V 40A TO-220 | تحقيق |
 |
IPB011N04L G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 | تحقيق |
 |
IXFK170N10P | IXYS | MOSFET N-CH 100V 170A TO-264 | تحقيق |
 |
CSD17382F4T | Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 2.3A PICOSTAR | تحقيق |
 |
IXFX150N30P3 | IXYS | MOSFET N-CH 300V 150A TO-247 | تحقيق |
 |
NTD3055L104-1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 12A IPAK | تحقيق |
 |
IRFI4228PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 34A TO-220AB FP | تحقيق |
|
NDF08N60ZH | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 8.4A TO-220FP | تحقيق |
 |
FQB4P25TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 250V 4A D2PAK | تحقيق |
|
STF26N60M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FP | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers