BUZ30A H
BUZ30A H
رقم القطعة:
BUZ30A H
الصانع:
International Rectifier (Infineon Technologies)
وصف:
MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
15041 Pieces
ورقة البيانات:
BUZ30A H.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل BUZ30A H ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك BUZ30A H عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى BUZ30A H مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 1mA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PG-TO-220-3
سلسلة:SIPMOS®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:130 mOhm @ 13.5A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):125W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-220-3
اسماء اخرى:BUZ30AH
BUZ30AHXKSA1
SP000682990
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:12 Weeks
الصانع الجزء رقم:BUZ30A H
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:1900pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:-
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 200V 21A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):200V
وصف:MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:21A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات