يشترى C2D05120A مع BYCHPS
شراء مع ضمان
C2D05120A
- رقم القطعة:
- C2D05120A
- الصانع:
- Cree
- وصف:
- DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A TO220-2
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16861 Pieces
- ورقة البيانات:
- C2D05120A.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل C2D05120A ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك C2D05120A عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1.8V @ 5A |
|---|---|
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 1200V (1.2kV) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-220-2 |
| سرعة: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| سلسلة: | Zero Recovery™ |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 0ns |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-220-2 |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -55°C ~ 175°C |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 4 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | C2D05120A |
| وصف موسع: | Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 5A (DC) Through Hole TO-220-2 |
| نوع الصمام الثنائي: | Silicon Carbide Schottky |
| وصف: | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A TO220-2 |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 200µA @ 1200V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 5A (DC) |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | 455pF @ 0V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لC2D05120A
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
RBR1MM30ATR | Rohm Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 30V 1A PMDU | تحقيق |
 |
1N4448 TR | Central Semiconductor Corp | DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35 | تحقيق |
 |
RL106-N-0-3-AP | Micro Commercial Co | DIODE GEN PURP 800V 1A A-405 | تحقيق |
 |
BAS281-GS08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 40V 30MA SOD80 | تحقيق |
 |
C2D05120E-TR | Cree/Wolfspeed | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 17.5A TO252 | تحقيق |
 |
BAV19WSTR | SMC Diode Solutions | DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD323 | تحقيق |
 |
C2D05120E | Cree/Wolfspeed | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 17.5A TO252 | تحقيق |
 |
FR605-T | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 600V 6A R6 | تحقيق |
 |
CMPD914 BK | Central Semiconductor Corp | DIODE GEN PURP 75V 250MA SOT23 | تحقيق |
 |
1N5831R | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY REV 35V DO4 | تحقيق |
 |
SBR15U30SP5-13 | Diodes Incorporated | DIODE SBR 30V 15A POWERDI5 | تحقيق |
|
1N3765 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 700V 35A DO5 | تحقيق |
 |
STTH506B | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK | تحقيق |
 |
SBL1035 | Diodes Incorporated | DIODE SCHOTTKY 35V 10A TO220AC | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog