يشترى C2D05120E مع BYCHPS
شراء مع ضمان
C2D05120E
- رقم القطعة:
- C2D05120E
- الصانع:
- Cree
- وصف:
- DIODE SCHOTTKY 1.2KV 17.5A TO252
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16080 Pieces
- ورقة البيانات:
- C2D05120E.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل C2D05120E ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك C2D05120E عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1.8V @ 5A |
|---|---|
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 1200V (1.2kV) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-252-2 |
| سرعة: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| سلسلة: | Zero Recovery™ |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 0ns |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -55°C ~ 175°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 4 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | C2D05120E |
| وصف موسع: | Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 5A (DC) Surface Mount TO-252-2 |
| نوع الصمام الثنائي: | Silicon Carbide Schottky |
| وصف: | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 17.5A TO252 |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 200µA @ 1200V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 5A (DC) |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | 455pF @ 0V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لC2D05120E
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
FESB8JT-E3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB | تحقيق |
 |
C2D05120A | Cree/Wolfspeed | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A TO220-2 | تحقيق |
 |
ER2GTR | SMC Diode Solutions | DIODE GEN PURP 400V 2A SMB | تحقيق |
 |
GP10J-4005EHE3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL | تحقيق |
 |
SBR8A45SP5-13 | Diodes Incorporated | DIODE SBR 45V 8A POWERDI5 | تحقيق |
 |
S1FLM-GS18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SW 1000V DO-219AB | تحقيق |
 |
RGP10D | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 200V 1A DO41 | تحقيق |
 |
CD0805-B120 | Bourns Inc. | BARRIER DIODE | تحقيق |
 |
SD41R | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 35V 30A DO4 | تحقيق |
 |
C2D05120E-TR | Cree/Wolfspeed | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 17.5A TO252 | تحقيق |
 |
SM75 | Semtech Corporation | DIODE GEN PURP 7.5KV 300MA AXIAL | تحقيق |
 |
BAS16QAZ | Nexperia USA Inc. | DIODE GP 100V 290MA DFN1010D-3 | تحقيق |
 |
PR1002GL-T | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 100V 1A DO41 | تحقيق |
 |
AG01AV1 | Sanken | DIODE GEN PURP 600V 500MA AXIAL | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog