C2M1000170J-TR
C2M1000170J-TR
رقم القطعة:
C2M1000170J-TR
الصانع:
Cree
وصف:
MOSFET N-CH 1700V 5.3A TO247
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
17250 Pieces
ورقة البيانات:
C2M1000170J-TR.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل C2M1000170J-TR ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك C2M1000170J-TR عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى C2M1000170J-TR مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:3.1V @ 500µA (Typ)
تكنولوجيا:SiCFET (Silicon Carbide)
تجار الأجهزة حزمة:D2PAK (7-Lead)
سلسلة:C2M™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:1.4 Ohm @ 2A, 20V
تبديد الطاقة (ماكس):78W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:TO-263-7 (Straight Leads)
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:8 Weeks
الصانع الجزء رقم:C2M1000170J-TR
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:200pF @ 1000V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:13nC @ 20V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 1700V (1.7kV) 5.3A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):1700V (1.7kV)
وصف:MOSFET N-CH 1700V 5.3A TO247
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:5.3A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات