يشترى C2M1000170J مع BYCHPS
شراء مع ضمان
C2M1000170J
- رقم القطعة:
- C2M1000170J
- الصانع:
- Cree
- وصف:
- MOSFET N-CH 1700V 5.3A TO247
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18616 Pieces
- ورقة البيانات:
- C2M1000170J.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل C2M1000170J ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك C2M1000170J عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 3.1V @ 500µA (Typ) |
|---|---|
| فغس (ماكس): | +25V, -10V |
| تكنولوجيا: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | D2PAK (7-Lead) |
| سلسلة: | C2M™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 1.4 Ohm @ 2A, 20V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 78W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | TO-263-7 (Straight Leads) |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | C2M1000170J |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 200pF @ 1000V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 13nC @ 20V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 1700V (1.7kV) 5.3A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead) |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 20V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 1700V (1.7kV) |
| وصف: | MOSFET N-CH 1700V 5.3A TO247 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 5.3A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لC2M1000170J
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IRFZ24NL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 17A TO-262 | تحقيق |
 |
FQD19N10TF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK | تحقيق |
 |
FQPF65N06 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 40A TO-220F | تحقيق |
 |
C2M1000170J-TR | Cree/Wolfspeed | MOSFET N-CH 1700V 5.3A TO247 | تحقيق |
 |
C2M1000170D | Cree/Wolfspeed | MOSFET N-CH 1700V 4.9A TO247 | تحقيق |
 |
RUR040N02TL | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3 | تحقيق |
 |
PMN28UN,135 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 12V 5.7A 6TSOP | تحقيق |
 |
SQM120N10-3M8_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 120A TO263 | تحقيق |
 |
BSP322PL6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 1A SOT-223 | تحقيق |
 |
RRQ020P03TCR | Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 2A TSMT6 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog