العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - رف > CGH60030D
CGH60030D
CGH60030D
رقم القطعة:
CGH60030D
الصانع:
Cree
وصف:
RF MOSFET HEMT 28V DIE
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
19381 Pieces
ورقة البيانات:
CGH60030D.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل CGH60030D ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك CGH60030D عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى CGH60030D مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - اختبار:28V
الجهد - تقييمه:84V
نوع الترانزستور:HEMT
تجار الأجهزة حزمة:Die
سلسلة:GaN
مخرج قوي:30W
التعبئة والتغليف:Tray
حزمة / كيس:Die
اسماء اخرى:CGH60030D-GP4
الضوضاء الشكل:-
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:CGH60030D
ربح:15dB
تردد:6GHz
وصف موسع:RF Mosfet HEMT 28V 250mA 6GHz 15dB 30W Die
وصف:RF MOSFET HEMT 28V DIE
التصويت الحالي:-
الحالي - اختبار:250mA
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لCGH60030D

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
BLF3G21-30,112 Image BLF3G21-30,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 13.5DB SOT467C تحقيق
PD54003S-E Image PD54003S-E STMicroelectronics TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF تحقيق
BLF6G22L-40P,112 Image BLF6G22L-40P,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1121A تحقيق
CGH60060D Image CGH60060D Cree/Wolfspeed RF MOSFET HEMT 28V DIE تحقيق
MRF6P21190HR5 Image MRF6P21190HR5 NXP USA Inc. FET RF 68V 2.12GHZ NI-1230 تحقيق
CGH60008D Image CGH60008D Cree/Wolfspeed RF MOSFET HEMT 28V DIE تحقيق
MRF19085LSR3 NXP USA Inc. FET RF 65V 1.99GHZ NI-780S تحقيق
CGH60120D Image CGH60120D Cree/Wolfspeed RF MOSFET HEMT 28V DIE تحقيق
MRF6S19100MR1 NXP USA Inc. FET RF 68V 1.99GHZ TO270-4 تحقيق
MRF8P23080HR5 Image MRF8P23080HR5 NXP USA Inc. FET RF 2CH 65V 2.3GHZ NI780-4 تحقيق
BF1212,215 Image BF1212,215 NXP USA Inc. MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT143B تحقيق
PD84006L-E Image PD84006L-E STMicroelectronics FET RF 25V 870MHZ تحقيق
MRF8P9040GNR1 Image MRF8P9040GNR1 NXP USA Inc. FET RF 2CH 70V 960MHZ TO-270 تحقيق
CGH60015D Image CGH60015D Cree/Wolfspeed RF MOSFET HEMT 28V DIE تحقيق
MRFE6S9200HSR3 NXP USA Inc. FET RF 66V 880MHZ NI-880S تحقيق
BLF6G27S-45,112 Image BLF6G27S-45,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 18DB SOT608B تحقيق
BLF8G20LS-160VU Image BLF8G20LS-160VU Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 20DB SOT1239B تحقيق

Latest الأخبار