يشترى CGH80030D مع BYCHPS
شراء مع ضمان
CGH80030D
- رقم القطعة:
- CGH80030D
- الصانع:
- Cree
- وصف:
- RF MOSFET HEMT 28V DIE
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16140 Pieces
- ورقة البيانات:
- CGH80030D.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل CGH80030D ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك CGH80030D عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 28V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 84V |
| نوع الترانزستور: | HEMT |
| تجار الأجهزة حزمة: | Die |
| سلسلة: | GaN |
| مخرج قوي: | 30W |
| التعبئة والتغليف: | Tray |
| حزمة / كيس: | Die |
| اسماء اخرى: | CGH80030D-GP4 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | CGH80030D |
| ربح: | 16.5dB |
| تردد: | 8GHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet HEMT 28V 200mA 8GHz 16.5dB 30W Die |
| وصف: | RF MOSFET HEMT 28V DIE |
| التصويت الحالي: | - |
| الحالي - اختبار: | 200mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لCGH80030D
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
MAGX-002731-100L00 | M/A-Com Technology Solutions | TRANSISTOR GAN 100W 2.7-3.1GHZ | تحقيق |
 |
PTFA210701FV4FWSA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 70W H-37265-2 | تحقيق |
 |
MAGX-001090-600L0S | M/A-Com Technology Solutions | TRANSISTOR RF 600W GAN | تحقيق |
 |
NE651R479A-A | CEL | FET RF 8V 1.9GHZ 79A | تحقيق |
 |
A2T21H100-25SR3 | NXP USA Inc. | IC RF LDMOS TRANS CELL | تحقيق |
 |
CGHV40050F | Cree/Wolfspeed | FET RF 150V 4GHZ 440193 | تحقيق |
 |
PD20015S-E | STMicroelectronics | TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF | تحقيق |
|
BLF6G27LS-50BN,112 | NXP USA Inc. | TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT1112B | تحقيق |
|
MRF9060LR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 945MHZ NI-360 | تحقيق |
|
MRF374A | NXP USA Inc. | FET RF 70V 863MHZ NI-650 | تحقيق |
 |
MRF8P8300HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 70V 820MHZ NI1230S | تحقيق |
 |
MRF6V12500HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 110V 1.03GHZ NI-780H | تحقيق |
|
PTFA210601F V4 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 60W H-37265-2 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog