يشترى PD20015S-E مع BYCHPS
شراء مع ضمان
PD20015S-E
- رقم القطعة:
- PD20015S-E
- الصانع:
- ST
- وصف:
- TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 19428 Pieces
- ورقة البيانات:
- PD20015S-E.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل PD20015S-E ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك PD20015S-E عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 13.6V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 40V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS |
| تجار الأجهزة حزمة: | PowerSO-10RF (Straight Lead) |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 15W |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 3 (168 Hours) |
| الصانع الجزء رقم: | PD20015S-E |
| ربح: | 11dB |
| تردد: | 2GHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet LDMOS 13.6V 350mA 2GHz 11dB 15W PowerSO-10RF (Straight Lead) |
| وصف: | TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF |
| التصويت الحالي: | 7A |
| الحالي - اختبار: | 350mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لPD20015S-E
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
PD20015C | STMicroelectronics | FET RF 40V 2GHZ M243 | تحقيق |
 |
PXAC241702FCV1R0XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS H-37248-4 | تحقيق |
 |
PD20015-E | STMicroelectronics | TRANS RF PWR N-CH POWERSO-10RF | تحقيق |
 |
MRF6S21060NBR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 2.12GHZ TO272-4 | تحقيق |
 |
PD20010STR-E | STMicroelectronics | TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF STR | تحقيق |
|
PD20010-E | STMicroelectronics | TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF | تحقيق |
 |
2N5952_J35Z | Fairchild/ON Semiconductor | JFET N-CH 30V 8MA TO92 | تحقيق |
 |
MAGX-001214-500L00 | M/A-Com Technology Solutions | TRANSISTOR GAN 500W 1.2-1.4GHZ | تحقيق |
|
PD20010S-E | STMicroelectronics | TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF | تحقيق |
|
PD20010TR-E | STMicroelectronics | TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF FORM | تحقيق |
 |
ON5240,118 | NXP USA Inc. | MOSFET RF SOT426 D2PAK | تحقيق |
 |
AFT09S200W02SR3 | NXP USA Inc. | TRANSISTOR RF LDMOS 4W PLD | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog