يشترى CSD13306WT مع BYCHPS
شراء مع ضمان
CSD13306WT
- رقم القطعة:
- CSD13306WT
- الصانع:
- وصف:
- MOSFET N-CH 12V 6DSBGA
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16751 Pieces
- ورقة البيانات:
- CSD13306WT.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل CSD13306WT ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك CSD13306WT عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1.3V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±10V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | 6-DSBGA (1x1.5) |
| سلسلة: | NexFET™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 10.2 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 1.9W (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 6-UFBGA, DSBGA |
| اسماء اخرى: | 296-41134-2 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 6 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | CSD13306WT |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1370pF @ 6V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 11.2nC @ 4.5V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 12V 3.5A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount 6-DSBGA (1x1.5) |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 2.5V, 4.5V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 12V |
| وصف: | MOSFET N-CH 12V 6DSBGA |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 3.5A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لCSD13306WT
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
|
CSD13385F5 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 7.1A PICOSTAR | تحقيق |
|
CSD13302WT | Texas Instruments | CHANNEL NEXFET POWER MOSFET | تحقيق |
|
CSD13303W1015 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA | تحقيق |
|
CSD13381F4 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR | تحقيق |
|
CSD13306W | Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 3.5A | تحقيق |
|
CSD13302W | Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 1.6A | تحقيق |
|
CSD13383F4 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 3PICOSTAR | تحقيق |
|
CSD13385F5T | Texas Instruments | 12V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFE | تحقيق |
|
CSD13383F4T | Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 3PICOSTAR | تحقيق |
|
CSD13380F3 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 3.6A PICOSTAR | تحقيق |
|
CSD13381F4T | Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR | تحقيق |
|
CSD13201W10 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA | تحقيق |
|
CSD13380F3T | Texas Instruments | 12V N-CHANNEL FEMTOFET MOSFET | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog