يشترى CSD85312Q3E مع BYCHPS
شراء مع ضمان
CSD85312Q3E
- رقم القطعة:
- CSD85312Q3E
- الصانع:
- وصف:
- MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18673 Pieces
- ورقة البيانات:
- CSD85312Q3E.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل CSD85312Q3E ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك CSD85312Q3E عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1.4V @ 250µA |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | 8-VSON (3.3x3.3) |
| سلسلة: | NexFET™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 12.4 mOhm @ 10A, 8V |
| السلطة - ماكس: | 2.5W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 8-PowerVDFN |
| اسماء اخرى: | CSD85312Q3E-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 6 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | CSD85312Q3E |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 2390pF @ 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 15.2nC @ 4.5V |
| نوع FET: | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
| FET الميزة: | Logic Level Gate, 5V Drive |
| وصف موسع: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Source 20V 39A 2.5W Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 20V |
| وصف: | MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 39A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لCSD85312Q3E
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
ZXMD65N03N8TA | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC | تحقيق |
 |
ALD210802SCL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC | تحقيق |
 |
SI9936DY,518 | NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 5A SOT96-1 | تحقيق |
 |
IRF7757TR | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 4.8A TSSOP-8 | تحقيق |
|
CSD85302L | Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 20V 5A | تحقيق |
 |
APTC60AM18SCG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 600V 143A SP6 | تحقيق |
|
CSD85302LT | Texas Instruments | MOSFET 2N-CH | تحقيق |
|
FDS9945 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SO | تحقيق |
 |
SI7960DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8 | تحقيق |
 |
APTML202UM18R010T3AG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 200V 109A SP3 | تحقيق |
|
CSD85301Q2 | Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON | تحقيق |
 |
SI3951DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 6-TSOP | تحقيق |
 |
SI1028X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V SC89-6 | تحقيق |
|
APTC80AM75SCG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 800V 56A SP6 | تحقيق |
|
CSD85301Q2T | Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON | تحقيق |
 |
SIB900EDK-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog