يشترى CSD86330Q3D مع BYCHPS
شراء مع ضمان
CSD86330Q3D
- رقم القطعة:
- CSD86330Q3D
- الصانع:
- وصف:
- MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- يحتوي الرصاص / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13075 Pieces
- ورقة البيانات:
- CSD86330Q3D.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل CSD86330Q3D ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك CSD86330Q3D عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.1V @ 250µA |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | 8-LSON (5x6) |
| سلسلة: | NexFET™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 9.6 mOhm @ 14A, 8V |
| السلطة - ماكس: | 6W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 8-PowerLDFN |
| اسماء اخرى: | 296-28216-2 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 25 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | CSD86330Q3D |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 920pF @ 12.5V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 6.2nC @ 4.5V |
| نوع FET: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET الميزة: | Logic Level Gate |
| وصف موسع: | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 25V 20A 6W Surface Mount 8-LSON (5x6) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 25V |
| وصف: | MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 20A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لCSD86330Q3D
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
|
CSD86311W1723 | Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA | تحقيق |
 |
DMN33D8LDW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 0.25A | تحقيق |
 |
NTZD3155CT1H | ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 20V SOT563 | تحقيق |
 |
NVMFD5873NLWFT1G | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 60V 10A SO8FL | تحقيق |
 |
AON3613 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N/P-CH 30V 4.5A 8DFN | تحقيق |
 |
IPG20N10S4L22AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 100V 20A TDSON-8 | تحقيق |
|
CSD86350Q5D | Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 25V 40A 8SON | تحقيق |
 |
SI3529DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 40V 2.5A 6-TSOP | تحقيق |
 |
SI4947ADY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 30V 3A 8-SOIC | تحقيق |
|
CSD86360Q5D | Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 25V 50A 8SON | تحقيق |
 |
SI7212DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 1212-8 | تحقيق |
 |
SIF902EDZ-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 7A 6-POWERPAK | تحقيق |
 |
HCT802 | TT Electronics/Optek Technology | MOSFET N/P-CH 90V 2A/1.1A SMD | تحقيق |
|
DMC1017UPD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 12V 9.5A/6.9A SMD | تحقيق |
|
SI4210DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC | تحقيق |
 |
IRF7103Q | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC | تحقيق |
 |
SI1035X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V SC-89 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog