يشترى CSD88539ND مع BYCHPS
شراء مع ضمان
CSD88539ND
- رقم القطعة:
- CSD88539ND
- الصانع:
- وصف:
- MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13361 Pieces
- ورقة البيانات:
- CSD88539ND.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل CSD88539ND ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك CSD88539ND عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 3.6V @ 250µA |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | 8-SOIC |
| سلسلة: | NexFET™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 28 mOhm @ 5A, 10V |
| السلطة - ماكس: | 2.1W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| اسماء اخرى: | 296-37304-2 CSD88539ND-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | CSD88539ND |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 741pF @ 30V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 9.4nC @ 10V |
| نوع FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET الميزة: | Standard |
| وصف موسع: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 15A 2.1W Surface Mount 8-SOIC |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 60V |
| وصف: | MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 15A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لCSD88539ND
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
FDG1024NZ | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 20V 1.2A SC70-6 | تحقيق |
 |
SI4948BEY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8-SOIC | تحقيق |
|
CSD88539NDT | Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC | تحقيق |
|
CSD88537ND | Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC | تحقيق |
|
CSD88537NDT | Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC | تحقيق |
 |
NTMD6N02R2 | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SO | تحقيق |
 |
SP8M6TB | Rohm Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V 5A/3.5A 8SOIC | تحقيق |
 |
DMN2014LHAB-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN | تحقيق |
 |
SI7998DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8 | تحقيق |
 |
FDS6912 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC | تحقيق |
 |
BUK7K8R7-40EX | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 40V 30A 56LFPAK | تحقيق |
 |
IRF7351TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC | تحقيق |
|
DMN3024LSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 6.8A 8SO | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog