يشترى CSD88537ND مع BYCHPS
شراء مع ضمان
CSD88537ND
- رقم القطعة:
- CSD88537ND
- الصانع:
- وصف:
- MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18850 Pieces
- ورقة البيانات:
- CSD88537ND.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل CSD88537ND ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك CSD88537ND عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 3.6V @ 250µA |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | 8-SOIC |
| سلسلة: | NexFET™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 15 mOhm @ 8A, 10V |
| السلطة - ماكس: | 2.1W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| اسماء اخرى: | 296-37303-2 CSD88537ND-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | CSD88537ND |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1400pF @ 30V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 18nC @ 10V |
| نوع FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET الميزة: | Standard |
| وصف موسع: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 15A 2.1W Surface Mount 8-SOIC |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 60V |
| وصف: | MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 15A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لCSD88537ND
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
|
CSD88539NDT | Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC | تحقيق |
 |
SQJ200EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO | تحقيق |
 |
DMN3190LDW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363 | تحقيق |
|
CSD88539ND | Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC | تحقيق |
 |
SI5511DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8 | تحقيق |
|
CSD88537NDT | Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC | تحقيق |
 |
VQ1006P | Vishay Siliconix | MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP | تحقيق |
 |
DMN5L06DMK-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 50V 0.305A SOT-26 | تحقيق |
|
SI5905BDC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8 | تحقيق |
|
SI4214DDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC | تحقيق |
 |
SI7909DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8 | تحقيق |
 |
AO4884L_001 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET 2N-CH 40V 10A 8SOIC | تحقيق |
|
TPS1120DR | Texas Instruments | MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog