يشترى CWDM305N TR13 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
CWDM305N TR13
- رقم القطعة:
- CWDM305N TR13
- الصانع:
- Central Semiconductor
- وصف:
- MOSFET N-CH 30V 5.8A 8SOIC
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14193 Pieces
- ورقة البيانات:
- CWDM305N TR13.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل CWDM305N TR13 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك CWDM305N TR13 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | 8-SOIC |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 30 mOhm @ 2.9A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 2W (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| اسماء اخرى: | CWDM305N TR13 LEAD FREE |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 26 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | CWDM305N TR13 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 560pF @ 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 6.3nC @ 5V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 30V 5.8A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOIC |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف: | MOSFET N-CH 30V 5.8A 8SOIC |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 5.8A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لCWDM305N TR13
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
CWDM305PD TR13 | Central Semiconductor Corp | MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8SOIC | تحقيق |
|
CWDM3011P TR13 | Central Semiconductor Corp | MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC | تحقيق |
 |
GP1M003A080FH | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 800V 3A TO220F | تحقيق |
|
CWDM3011N TR13 | Central Semiconductor Corp | MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC | تحقيق |
 |
IPP055N03LGXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A TO-220-3 | تحقيق |
|
CWDM305ND TR13 | Central Semiconductor Corp | MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SOIC | تحقيق |
 |
IPD15N06S2L64ATMA2 | Infineon Technologies | N-CHANNEL_55/60V | تحقيق |
|
CWDM305P TR13 | Central Semiconductor Corp | MOSFET P-CH 16V 5.3A 8SOIC | تحقيق |
 |
APTM50UM19SG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 163A J3 | تحقيق |
 |
IRFH5204TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 22A PQFN | تحقيق |
 |
IPU50R950CE | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog