يشترى CWDM305P TR13 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
CWDM305P TR13
- رقم القطعة:
- CWDM305P TR13
- الصانع:
- Central Semiconductor
- وصف:
- MOSFET P-CH 16V 5.3A 8SOIC
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14555 Pieces
- ورقة البيانات:
- 1.CWDM305P TR13.pdf2.CWDM305P TR13.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل CWDM305P TR13 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك CWDM305P TR13 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | 8-SOIC |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 72 mOhm @ 2.7A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 2W (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| اسماء اخرى: | CWDM305P TR13 LEAD FREE |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 26 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | CWDM305P TR13 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 590pF @ 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 7nC @ 5V |
| نوع FET: | P-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | P-Channel 30V 5.3A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOIC |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف: | MOSFET P-CH 16V 5.3A 8SOIC |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 5.3A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لCWDM305P TR13
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
CWDM305PD TR13 | Central Semiconductor Corp | MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8SOIC | تحقيق |
 |
FDC658AP | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 4A SSOT6 | تحقيق |
|
CWDM305N TR13 | Central Semiconductor Corp | MOSFET N-CH 30V 5.8A 8SOIC | تحقيق |
|
CWDM3011N TR13 | Central Semiconductor Corp | MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC | تحقيق |
 |
FQA70N15 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 150V 70A TO-3P | تحقيق |
 |
FDD8586 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 35A DPAK | تحقيق |
 |
TK4P55D(T6RSS-Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 550V 4A DPAK-3 | تحقيق |
|
CWDM3011P TR13 | Central Semiconductor Corp | MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC | تحقيق |
 |
IRFSL4310PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 130A TO-262 | تحقيق |
|
CWDM305ND TR13 | Central Semiconductor Corp | MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SOIC | تحقيق |
 |
STE48NM60 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 48A ISOTOP | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog