يشترى DMG4468LFG مع BYCHPS
شراء مع ضمان
DMG4468LFG
- رقم القطعة:
- DMG4468LFG
- الصانع:
- Diodes Incorporated
- وصف:
- MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14391 Pieces
- ورقة البيانات:
- DMG4468LFG.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل DMG4468LFG ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك DMG4468LFG عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | U-DFN3030-8 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 15 mOhm @ 11.6A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 990mW (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 8-PowerUDFN |
| اسماء اخرى: | 1034-DMG4468LFGDITR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | DMG4468LFG |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 867pF @ 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 18.85nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 30V 7.62A (Ta) 990mW (Ta) Surface Mount U-DFN3030-8 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف: | MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 7.62A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لDMG4468LFG
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
DMG4406LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N CH 30V 10.3A 8-SO | تحقيق |
 |
DMG4468LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 7.62A DFN3030-8 | تحقيق |
 |
DMG4468LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 9.7A TO252 | تحقيق |
|
DMG4435SSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 7.3A 8SOIC | تحقيق |
 |
STP8NM60FP | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 8A TO-220FP | تحقيق |
 |
STB120N4F6 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK | تحقيق |
|
DMG4466SSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 10A 8SO | تحقيق |
|
DMG4496SSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 10A 8SO | تحقيق |
|
DMG4466SSSL-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 10A 8SO | تحقيق |
|
DMG4413LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 10.5A SOP8L | تحقيق |
 |
FDP4020P | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 16A TO-220AB | تحقيق |
 |
DMS2120LFWB-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 2.9A 8DFN | تحقيق |
 |
SQ3427EEV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 5.5A 6TSOP | تحقيق |
|
DMG4407SSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 9.9A 8-SO | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog