يشترى STB120N4F6 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 250µA |
---|---|
فغس (ماكس): | ±20V |
تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
تجار الأجهزة حزمة: | D2PAK |
سلسلة: | DeepGATE™, STripFET™ VI |
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 4 mOhm @ 40A, 10V |
تبديد الطاقة (ماكس): | 110W (Tc) |
التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
حزمة / كيس: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
اسماء اخرى: | 497-10768-2 |
درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
تصاعد نوع: | Surface Mount |
مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
الصانع الجزء رقم: | STB120N4F6 |
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 3850pF @ 25V |
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 65nC @ 10V |
نوع FET: | N-Channel |
FET الميزة: | - |
وصف موسع: | N-Channel 40V 80A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D2PAK |
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 40V |
وصف: | MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK |
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 80A (Tc) |
Email: | [email protected] |