يشترى DMG4N60SCT مع BYCHPS
شراء مع ضمان
DMG4N60SCT
- رقم القطعة:
- DMG4N60SCT
- الصانع:
- Diodes Incorporated
- وصف:
- MOSFET NCH 600V 4.5A TO220
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 19025 Pieces
- ورقة البيانات:
- DMG4N60SCT.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل DMG4N60SCT ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك DMG4N60SCT عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4.5V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-220AB |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 2.5 Ohm @ 2A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 113W (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-220-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 7 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | DMG4N60SCT |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 532pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 14.3nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 600V 4.5A (Ta) 113W (Ta) Through Hole TO-220AB |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 600V |
| وصف: | MOSFET NCH 600V 4.5A TO220 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 4.5A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لDMG4N60SCT
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
DMG4N60SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 501V 650V TO252 T& | تحقيق |
 |
IPP80N06S3-07 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 | تحقيق |
 |
BSP299 E6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 400MA SOT-223 | تحقيق |
 |
DMG4N65CT | Diodes Incorporated | MOSFET N CH 650V 4A TO220-3 | تحقيق |
 |
NTD70N03R-001 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 25V 10A IPAK | تحقيق |
 |
DMG4N65CTI | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 650V 4A ITO-220AB | تحقيق |
 |
IPA60R380P6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO220FP-3 | تحقيق |
|
DMG4N60SJ3 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 600V 3A TO251 | تحقيق |
 |
IRFBG20PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-220AB | تحقيق |
 |
IRL3303 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 38A TO-220AB | تحقيق |
 |
AOL1242 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 40V 14A 8ULTRASO | تحقيق |
 |
SIA416DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 11.3A SC70-6L | تحقيق |
 |
RJK0660DPA-00#J5A | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 60V 40A WPAK | تحقيق |
 |
IRL3714STRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog