يشترى DMG4N60SK3-13 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
DMG4N60SK3-13
- رقم القطعة:
- DMG4N60SK3-13
- الصانع:
- Diodes Incorporated
- وصف:
- MOSFET BVDSS: 501V 650V TO252 T&
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17432 Pieces
- ورقة البيانات:
- DMG4N60SK3-13.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل DMG4N60SK3-13 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك DMG4N60SK3-13 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4.5V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±30V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-252 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 2.3 Ohm @ 2A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 48W (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| اسماء اخرى: | DMG4N60SK3-13DITR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | DMG4N60SK3-13 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 532pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 14.3nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 600V 3.7A (Tc) 48W (Ta) Surface Mount TO-252 |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 600V |
| وصف: | MOSFET BVDSS: 501V 650V TO252 T& |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 3.7A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لDMG4N60SK3-13
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
DMG4N60SCT | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 600V 4.5A TO220 | تحقيق |
|
DMG4N65CT | Diodes Incorporated | MOSFET N CH 650V 4A TO220-3 | تحقيق |
 |
STL2N80K5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 2A POWERFLAT | تحقيق |
 |
AOTF10T60P | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 10A TO220F | تحقيق |
|
DMG4N60SJ3 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 600V 3A TO251 | تحقيق |
 |
STD28P3LLH6AG | STMicroelectronics | MOSFET P-CH 30V 12A | تحقيق |
 |
VN0606L-G-P003 | Microchip Technology | MOSFET N-CH 60V 330MA TO92-3 | تحقيق |
|
DMG4N65CTI | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 650V 4A ITO-220AB | تحقيق |
 |
PMN48XPAX | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 20V SC-74 | تحقيق |
 |
STP2N80K5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 2A TO220 | تحقيق |
 |
PHM30NQ10T,518 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 37.6A 8HVSON | تحقيق |
 |
RSH065N03TB1 | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 6.5A SOP8 | تحقيق |
 |
TPCP8103-H(TE85LFM | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 40V 4.8A PS-8 | تحقيق |
 |
DMP2047UCB4-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 4.1A 4UWLB | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog