يشترى DMN2215UDM-7 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
DMN2215UDM-7
- رقم القطعة:
- DMN2215UDM-7
- الصانع:
- Diodes Incorporated
- وصف:
- MOSFET 2N-CH 20V 2A SOT-26
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17358 Pieces
- ورقة البيانات:
- DMN2215UDM-7.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل DMN2215UDM-7 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك DMN2215UDM-7 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-26 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 100 mOhm @ 2.5A, 4.5V |
| السلطة - ماكس: | 650mW |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | SOT-23-6 |
| اسماء اخرى: | DMN2215UDM7 DMN2215UDMDITR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | DMN2215UDM-7 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 188pF @ 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | - |
| نوع FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET الميزة: | Logic Level Gate |
| وصف موسع: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 2A 650mW Surface Mount SOT-26 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 20V |
| وصف: | MOSFET 2N-CH 20V 2A SOT-26 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 2A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لDMN2215UDM-7
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
PMGD175XNEX | Nexperia USA Inc. | MOSFET ARRAY 2NCH 30V 6-TSSOP | تحقيق |
 |
IRF7379QTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC | تحقيق |
 |
DMN2230UQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 2A SOT23 | تحقيق |
|
IRF7309QTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC | تحقيق |
 |
DMN2230UQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 20V 2A SOT23 | تحقيق |
 |
APTM50TDUM65PG | Microsemi Corporation | MOSFET 6N-CH 500V 51A SP6-P | تحقيق |
 |
NTHD2102PT1 | ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET | تحقيق |
 |
SH8M3TB1 | Rohm Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A SOP8 | تحقيق |
 |
SI9936BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8-SOIC | تحقيق |
|
DMN2230U-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 2A SOT23-3 | تحقيق |
|
SI9933CDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC | تحقيق |
 |
DMN2250UFB-7B | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 1.35A 3DFN | تحقيق |
 |
TC6321T-V/9U | Microchip Technology | MOSFET ARRAY N/P-CH 200V 8VDFN | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog