يشترى DMN2230U-7 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
DMN2230U-7
- رقم القطعة:
- DMN2230U-7
- الصانع:
- Diodes Incorporated
- وصف:
- MOSFET N-CH 20V 2A SOT23-3
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16925 Pieces
- ورقة البيانات:
- DMN2230U-7.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل DMN2230U-7 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك DMN2230U-7 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±12V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-23-3 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 110 mOhm @ 2.5A, 4.5V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 600mW (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Original-Reel® |
| حزمة / كيس: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| اسماء اخرى: | DMN2230U-7DIDKR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | DMN2230U-7 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 188pF @ 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | - |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 20V 2A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 1.8V, 4.5V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 20V |
| وصف: | MOSFET N-CH 20V 2A SOT23-3 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 2A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لDMN2230U-7
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
DMN2230UQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 20V 2A SOT23 | تحقيق |
 |
DMP1555UFA-7B | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 12V 0.2A X2DFN-3 | تحقيق |
 |
FDMS86300 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 80V 19A POWER56 | تحقيق |
 |
IRF6715MTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 34A DIRECTFET | تحقيق |
 |
SPB35N10T | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK | تحقيق |
 |
NP90N04VUK-E1-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 40V 90A TO-220 | تحقيق |
 |
BSC020N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 | تحقيق |
 |
DMN2230UQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 2A SOT23 | تحقيق |
 |
DMN2215UDM-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 2A SOT-26 | تحقيق |
 |
STP12PF06 | STMicroelectronics | MOSFET P-CH 60V 12A TO-220 | تحقيق |
 |
FQA7N80_F109 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 800V 7.2A TO-3P | تحقيق |
|
IRFS3004TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK | تحقيق |
 |
IRLI3803PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 76A TO220FP | تحقيق |
 |
DMN2250UFB-7B | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 1.35A 3DFN | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog