DMN3030LSS-13
DMN3030LSS-13
رقم القطعة:
DMN3030LSS-13
الصانع:
Diodes Incorporated
وصف:
MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
14984 Pieces
ورقة البيانات:
DMN3030LSS-13.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل DMN3030LSS-13 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك DMN3030LSS-13 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى DMN3030LSS-13 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:2.1V @ 250µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:8-SOP
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:18 mOhm @ 9A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):2.5W (Ta)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:16 Weeks
الصانع الجزء رقم:DMN3030LSS-13
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:741pF @ 15V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:25nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 30V 9A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOP
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):30V
وصف:MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:9A (Ta)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات