يشترى DMN3032LFDB-7 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
DMN3032LFDB-7
- رقم القطعة:
- DMN3032LFDB-7
- الصانع:
- Diodes Incorporated
- وصف:
- MOSFET 2N-CH 30V 6.2A UDFN2020-6
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15303 Pieces
- ورقة البيانات:
- DMN3032LFDB-7.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل DMN3032LFDB-7 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك DMN3032LFDB-7 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | U-DFN2020-6 (Type B) |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 30 mOhm @ 5.8A, 10V |
| السلطة - ماكس: | 1W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 6-UDFN Exposed Pad |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 14 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | DMN3032LFDB-7 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 500pF @ 15V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 10.6nC @ 10V |
| نوع FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET الميزة: | Standard |
| وصف موسع: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.2A 1W Surface Mount U-DFN2020-6 (Type B) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف: | MOSFET 2N-CH 30V 6.2A UDFN2020-6 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 6.2A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لDMN3032LFDB-7
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
DMN3031LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP | تحقيق |
 |
DMN3032LFDBQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 6.2A U-DFN2020 | تحقيق |
 |
DMN3033LDM-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-26 | تحقيق |
|
DMN3032LFDB-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 6.2A UDFN2020-6 | تحقيق |
 |
DMN3032LFDBQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2NCH 30V 6.2A UDFN2020 | تحقيق |
 |
DMN3033LSNQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3 | تحقيق |
|
DMN3030LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC | تحقيق |
|
DMN3033LSNQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3 | تحقيق |
|
DMN3033LSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC | تحقيق |
|
DMN3033LSDQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC | تحقيق |
 |
DMN3032LE-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223 | تحقيق |
 |
DMN3035LWN-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8VDFN | تحقيق |
|
DMN3033LSN-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog