يشترى DMN4800LSS-13 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
DMN4800LSS-13
- رقم القطعة:
- DMN4800LSS-13
- الصانع:
- Diodes Incorporated
- وصف:
- MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 19912 Pieces
- ورقة البيانات:
- DMN4800LSS-13.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل DMN4800LSS-13 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك DMN4800LSS-13 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1.6V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±25V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | 8-SOP |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 16 mOhm @ 9A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 1.46W (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| اسماء اخرى: | DMN4800LSS13 DMN4800LSSDITR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 16 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | DMN4800LSS-13 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 798pF @ 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 9.47nC @ 5V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 30V 9A (Ta) 1.46W (Ta) Surface Mount 8-SOP |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 4.5V, 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف: | MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 9A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لDMN4800LSS-13
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SI4484EY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-SOIC | تحقيق |
 |
IPP075N15N3GHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 100A TO220-3 | تحقيق |
 |
SPD03N50C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 560V 3.2A DPAK | تحقيق |
 |
DMN4800LSSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 8.6A 8-SO | تحقيق |
|
DMN4800LSSL-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 8A 8-SO | تحقيق |
 |
STW45NM60 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 45A TO-247 | تحقيق |
 |
BS170RLRP | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92 | تحقيق |
 |
SIHH26N60E-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 25A POWERPAK8X8 | تحقيق |
 |
IRFP260NPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 50A TO-247AC | تحقيق |
|
IPD068P03L3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3 | تحقيق |
 |
NTK3134NT5H | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 0.89A SOT723 | تحقيق |
 |
IRFH7446TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N CH 40V 85A PQFN 5X6 | تحقيق |
 |
CSD16408Q5C | Texas Instruments | MOSFET N-CH 25V 113A 8SON | تحقيق |
 |
FDPF8N50NZF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 7A TO-220F | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog