يشترى DMN67D8LW-7 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
DMN67D8LW-7
- رقم القطعة:
- DMN67D8LW-7
- الصانع:
- Diodes Incorporated
- وصف:
- MOSFET N-CH 60V SOT323
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15211 Pieces
- ورقة البيانات:
- DMN67D8LW-7.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل DMN67D8LW-7 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك DMN67D8LW-7 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-323 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 5 Ohm @ 500mA, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 320mW (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | SC-70, SOT-323 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | DMN67D8LW-7 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 22pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 0.82nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 60V 240mA (Ta) 320mW (Ta) Surface Mount SOT-323 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 60V |
| وصف: | MOSFET N-CH 60V SOT323 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 240mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لDMN67D8LW-7
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
AOC2421 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET P-CH 8V 2.5A 4WLCSP | تحقيق |
 |
ZXMN3A14FTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT23-3 | تحقيق |
|
DMN67D8L-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 0.21A SOT23 | تحقيق |
 |
FDFMA2P857 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET2X2 | تحقيق |
 |
DMN67D8LDW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363 | تحقيق |
|
DMN67D8L-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 0.21A SOT23 | تحقيق |
 |
AON6508 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 30V 29A 8DFN | تحقيق |
 |
IRFU3709Z-701P | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 86A IPAK | تحقيق |
|
DMN67D8LDW-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363 | تحقيق |
 |
BUZ11_NR4941 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 50V 30A TO-220AB | تحقيق |
 |
DMN67D8LW-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V SOT323 | تحقيق |
 |
IXTP3N100D2 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB | تحقيق |
 |
AUIRLR014NTRL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 10A DPAK | تحقيق |
|
IRFR3706TRR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 75A DPAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog