يشترى DMN67D8LDW-7 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
DMN67D8LDW-7
- رقم القطعة:
- DMN67D8LDW-7
- الصانع:
- Diodes Incorporated
- وصف:
- MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12003 Pieces
- ورقة البيانات:
- DMN67D8LDW-7.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل DMN67D8LDW-7 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك DMN67D8LDW-7 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-363 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 5 Ohm @ 500mA, 10V |
| السلطة - ماكس: | 320mW |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | DMN67D8LDW-7 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 22pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 0.82nC @ 10V |
| نوع FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET الميزة: | Standard |
| وصف موسع: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 230mA 320mW Surface Mount SOT-363 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 60V |
| وصف: | MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 230mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لDMN67D8LDW-7
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
NTZD3154NT2G | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563 | تحقيق |
 |
SM6K2T110 | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 60V 0.2A SOT-457 | تحقيق |
 |
APTM10HM09FT3G | Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 100V 139A SP3 | تحقيق |
 |
STS4C3F60L | STMicroelectronics | MOSFET N/P-CH 60V 4A/3A 8SOIC | تحقيق |
 |
DMN67D8LW-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V SOT323 | تحقيق |
 |
IRF7105QTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 25V 8-SOIC | تحقيق |
 |
DMN67D8LDW-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363 | تحقيق |
 |
DMN67D8L-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 0.21A SOT23 | تحقيق |
 |
TT8J2TR | Rohm Semiconductor | MOSFET 2P-CH 30V 2.5A TSST8 | تحقيق |
 |
STL20DNF06LAG | STMicroelectronics | MOSFET 2NCH 60V 20A POWERFLAT | تحقيق |
 |
IPG20N04S412ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON | تحقيق |
|
DMN67D8L-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 0.21A SOT23 | تحقيق |
|
DMN67D8LW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V SOT323 | تحقيق |
 |
ZXMN2A04DN8TC | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SOIC | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog