DMT10H014LSS-13
DMT10H014LSS-13
رقم القطعة:
DMT10H014LSS-13
الصانع:
Diodes Incorporated
وصف:
MOSFET NCH 100V 8.9A 8SO
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
13088 Pieces
ورقة البيانات:
DMT10H014LSS-13.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل DMT10H014LSS-13 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك DMT10H014LSS-13 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى DMT10H014LSS-13 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:3V @ 250µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:8-SO
سلسلة:Automotive, AEC-Q101
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:15 mOhm @ 20A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):1.2W (Ta)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:16 Weeks
الصانع الجزء رقم:DMT10H014LSS-13
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:1871pF @ 50V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:33.3nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 100V 8.9A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount 8-SO
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):100V
وصف:MOSFET NCH 100V 8.9A 8SO
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:8.9A (Ta)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات