DMT10H015LFG-13
DMT10H015LFG-13
رقم القطعة:
DMT10H015LFG-13
الصانع:
Diodes Incorporated
وصف:
MOSFET N-CH 100V 10A
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
14505 Pieces
ورقة البيانات:
DMT10H015LFG-13.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل DMT10H015LFG-13 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك DMT10H015LFG-13 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى DMT10H015LFG-13 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:3.5V @ 250µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PowerDI3333-8
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:13.5 mOhm @ 20A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):2W (Ta), 35W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:8-PowerWDFN
اسماء اخرى:DMT10H015LFG-13DI
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:16 Weeks
الصانع الجزء رقم:DMT10H015LFG-13
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:1871pF @ 50V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:33.3nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 100V 10A (Ta), 42A (Tc) 2W (Ta), 35W (Tc) Surface Mount PowerDI3333-8
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):100V
وصف:MOSFET N-CH 100V 10A
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:10A (Ta), 42A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات