يشترى DMTH10H015LPS-13 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
DMTH10H015LPS-13
- رقم القطعة:
- DMTH10H015LPS-13
- الصانع:
- Diodes Incorporated
- وصف:
- MOSFET NCH 100V 7.3A POWERDI
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 19040 Pieces
- ورقة البيانات:
- DMTH10H015LPS-13.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل DMTH10H015LPS-13 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك DMTH10H015LPS-13 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PowerDI5060-8 |
| سلسلة: | Automotive, AEC-Q101 |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 16 mOhm @ 20A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 1.3W (Ta), 46W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 8-PowerTDFN |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 16 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | DMTH10H015LPS-13 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1871pF @ 50V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 33.3nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 100V 7.3A (Ta), 44A (Tc) 1.3W (Ta), 46W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 100V |
| وصف: | MOSFET NCH 100V 7.3A POWERDI |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 7.3A (Ta), 44A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لDMTH10H015LPS-13
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
DMTH10H010LCT | Diodes Incorporated | MOSFET 100V 108A TO220AB | تحقيق |
 |
FQB8N60CFTM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 6.26A D2PAK | تحقيق |
|
DMTH10H030LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 100V 28A TO252 | تحقيق |
|
DMTH10H015LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 100V 52.5A TO252 | تحقيق |
|
DMTH10H010LCTB-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 61V 100V TO263 T&R | تحقيق |
 |
IRLW610ATM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 3.3A I2PAK | تحقيق |
 |
IRFB4233PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 230V 56A TO-220AB | تحقيق |
 |
IPD110N12N3GBUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers