يشترى DMTH10H030LK3-13 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
DMTH10H030LK3-13
- رقم القطعة:
- DMTH10H030LK3-13
- الصانع:
- Diodes Incorporated
- وصف:
- MOSFET NCH 100V 28A TO252
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14724 Pieces
- ورقة البيانات:
- DMTH10H030LK3-13.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل DMTH10H030LK3-13 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك DMTH10H030LK3-13 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 3.5V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-252-4L |
| سلسلة: | Automotive, AEC-Q101 |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 30 mOhm @ 20A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 2.1W (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | DMTH10H030LK3-13 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1871pF @ 50V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 33.3nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 100V 28A (Tc) 2.1W (Ta) Surface Mount TO-252-4L |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 100V |
| وصف: | MOSFET NCH 100V 28A TO252 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 28A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لDMTH10H030LK3-13
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
DMTH10H010LCT | Diodes Incorporated | MOSFET 100V 108A TO220AB | تحقيق |
 |
DMTH10H015LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 100V 7.3A POWERDI | تحقيق |
 |
FQB34P10TM_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK | تحقيق |
|
DMTH10H015LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 100V 52.5A TO252 | تحقيق |
 |
IRFR3518PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 38A DPAK | تحقيق |
 |
STI18N65M5 | STMicroelectronics | MOSFET N CH 650V 15A I2PAK | تحقيق |
 |
BUK761R7-40E,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK | تحقيق |
 |
IXTU05N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 750MA TO-251 | تحقيق |
|
IPD30N12S3L31ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL_100+ | تحقيق |
|
DMTH10H010LCTB-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 61V 100V TO263 T&R | تحقيق |
 |
STP42N60M2-EP | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 34A EP TO220AB | تحقيق |
 |
FCPF7N60T | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 7A TO-220F | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog