يشترى DSEI30-06A مع BYCHPS
شراء مع ضمان
DSEI30-06A
- رقم القطعة:
- DSEI30-06A
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- DIODE GEN PURP 600V 37A TO247AD
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15236 Pieces
- ورقة البيانات:
- DSEI30-06A.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل DSEI30-06A ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك DSEI30-06A عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1.6V @ 37A |
|---|---|
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 600V |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-247AD |
| سرعة: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| سلسلة: | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 50ns |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-2 |
| اسماء اخرى: | 434272 DSEI3006A |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -40°C ~ 150°C |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | DSEI30-06A |
| وصف موسع: | Diode Standard 600V 37A Through Hole TO-247AD |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard |
| وصف: | DIODE GEN PURP 600V 37A TO247AD |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 100µA @ 600V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 37A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لDSEI30-06A
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
STTH812DI | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220LNS | تحقيق |
 |
STF15150 | SMC Diode Solutions | DIODE SCHOTTKY 150V ITO220AC | تحقيق |
 |
DSEI36-06AS-TUBE | IXYS | DIODE GEN PURP 600V 37A TO263AB | تحقيق |
 |
DSEI30-12A | IXYS | DIODE GEN PURP 1.2KV 26A TO247AD | تحقيق |
|
DSEI30-10A | IXYS | DIODE GEN PURP 1KV 30A TO247AD | تحقيق |
 |
R7202006XXOO | Powerex Inc. | DIODE MODULE 2KV 600A DO200AB | تحقيق |
 |
BYV26EGPHE3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AC | تحقيق |
 |
DGP30HE3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 1.5KV 3A DO201AD | تحقيق |
 |
DSEI30-10AR | IXYS | DIODE GEN 1KV 30A ISOPLUS247 | تحقيق |
 |
150K100A | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 1KV 150A DO205 | تحقيق |
|
DSEI36-06AS-TUB | IXYS | DIODE GEN PURP 600V 37A TO263AB | تحقيق |
|
PS411825 | Powerex Inc. | DIODE MODULE 1.8KV 2500A POWRBLK | تحقيق |
 |
SSB43LHE3/52T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 30V 4A DO214AA | تحقيق |
 |
SBR3U60P1Q-7 | Diodes Incorporated | DIODE SBR 60V 3A PDI123 | تحقيق |
 |
NRVB830MFST3G | ON Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 30V 8A 5DFN | تحقيق |
|
10BQ015 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 15V 1A SMB | تحقيق |
 |
30HFU-400 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 30A DO203AB | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers