يشترى DSEI30-10AR مع BYCHPS
شراء مع ضمان
DSEI30-10AR
- رقم القطعة:
- DSEI30-10AR
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- DIODE GEN 1KV 30A ISOPLUS247
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15283 Pieces
- ورقة البيانات:
- DSEI30-10AR.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل DSEI30-10AR ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك DSEI30-10AR عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 2.4V @ 36A |
|---|---|
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 1000V (1kV) |
| تجار الأجهزة حزمة: | ISOPLUS247™ |
| سرعة: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| سلسلة: | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 50ns |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | ISOPLUS247™ |
| اسماء اخرى: | DSEI3010AR |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -40°C ~ 150°C |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | DSEI30-10AR |
| وصف موسع: | Diode Standard 1000V (1kV) 30A Through Hole ISOPLUS247™ |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard |
| وصف: | DIODE GEN 1KV 30A ISOPLUS247 |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 750µA @ 1000V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 30A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لDSEI30-10AR
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
VS-31DQ04TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 40V 3.3A C16 | تحقيق |
 |
DSEI30-10A | IXYS | DIODE GEN PURP 1KV 30A TO247AD | تحقيق |
 |
BAS40/ZLVL | NXP USA Inc. | DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23 | تحقيق |
 |
MA2J70400L | Panasonic Electronic Components | DIODE SCHOTTKY 20V 200MA SMINI2 | تحقيق |
 |
1N4148WX-TP | Micro Commercial Co | DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD323 | تحقيق |
 |
SIDC38D60C6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 150A WAFER | تحقيق |
 |
DPG10I400PA | IXYS | DIODE GEN PURP 400V 10A TO220AC | تحقيق |
|
DSEI30-12A | IXYS | DIODE GEN PURP 1.2KV 26A TO247AD | تحقيق |
 |
AR4PMHM3_A/H | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCH 1KV 1.8A TO277A | تحقيق |
 |
JAN1N3612 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL | تحقيق |
|
DSEI30-06A | IXYS | DIODE GEN PURP 600V 37A TO247AD | تحقيق |
 |
NSB8DT-E3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB | تحقيق |
 |
DSEI36-06AS-TUBE | IXYS | DIODE GEN PURP 600V 37A TO263AB | تحقيق |
 |
JANTX1N5415US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 50V 3A B-MELF | تحقيق |
 |
JANTX1N5194 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 70V 50MA DO35 | تحقيق |
|
DSEI36-06AS-TUB | IXYS | DIODE GEN PURP 600V 37A TO263AB | تحقيق |
 |
1N3611GP-E3/73 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog