يشترى DSEP6-06BS مع BYCHPS
شراء مع ضمان
DSEP6-06BS
- رقم القطعة:
- DSEP6-06BS
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- DIODE GEN PURP 600V 6A TO252AA
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16026 Pieces
- ورقة البيانات:
- DSEP6-06BS.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل DSEP6-06BS ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك DSEP6-06BS عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 2.66V @ 6A |
|---|---|
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 600V |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-252AA |
| سرعة: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| سلسلة: | HiPerFRED™ |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 15ns |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| اسماء اخرى: | DSEP6-06BS-ND DSEP6-06BSTR DSEP606BS |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -55°C ~ 175°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | DSEP6-06BS |
| وصف موسع: | Diode Standard 600V 6A Surface Mount TO-252AA |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard |
| وصف: | DIODE GEN PURP 600V 6A TO252AA |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 50µA @ 600V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 6A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | 5pF @ 400V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لDSEP6-06BS
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
DSEP60-03A | IXYS | DIODE GEN PURP 300V 60A TO247 | تحقيق |
 |
SD103CWS-G3-08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 350MA 20V SOD323 | تحقيق |
 |
JANTX1N6844U3 | Microsemi Corporation | DIODE SCHOTTKY 100V 15A U3 | تحقيق |
|
DSEP60-04A | IXYS | DIODE GEN PURP 400V 60A TO247 | تحقيق |
 |
BYW29-200G | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 200V 8A TO220-2 | تحقيق |
 |
VS-50SQ100TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 100V 5A DO204AR | تحقيق |
|
JANTXV1N6864US | Microsemi Corporation | DIODE SCHOTTKY 80V 3A DO213AA | تحقيق |
 |
DSEP60-06AT | IXYS | DIODE GEN PURP 600V 60A TO268AA | تحقيق |
 |
DSEP60-025A | IXYS | DIODE GEN PURP 250V 60A TO247AD | تحقيق |
 |
SMMDL914T1G | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD323 | تحقيق |
|
DSEP60-06A | IXYS | DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD | تحقيق |
 |
VS-19TQ015STRRPBF | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 19A 15V D2PAK | تحقيق |
 |
ES1D | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 200V 1A SMA | تحقيق |
 |
DSEP60-12AR | IXYS | DIODE GEN 1.2KV 60A ISOPLUS247 | تحقيق |
 |
1N3296A | Powerex Inc. | DIODE GEN PURP 1.2KV 100A DO205 | تحقيق |
 |
DSEP6-06AS | IXYS | DIODE GEN PURP 600V 6A TO252AA | تحقيق |
 |
UH8JT-E3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC | تحقيق |
|
DSEP60-12A | IXYS | DIODE GEN PURP 1.2KV 60A TO247AD | تحقيق |
 |
CDBQR54 | Comchip Technology | DIODE SCHOTTKY 30V 200MA 0402 | تحقيق |
 |
6A1-T | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 100V 6A R6 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog