يشترى DSEP60-06AT مع BYCHPS
شراء مع ضمان
DSEP60-06AT
- رقم القطعة:
- DSEP60-06AT
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- DIODE GEN PURP 600V 60A TO268AA
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13166 Pieces
- ورقة البيانات:
- DSEP60-06AT.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل DSEP60-06AT ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك DSEP60-06AT عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 2.04V @ 60A |
|---|---|
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 600V |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-268AA |
| سرعة: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| سلسلة: | HiPerFRED™ |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 35ns |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -55°C ~ 175°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | DSEP60-06AT |
| وصف موسع: | Diode Standard 600V 60A Surface Mount TO-268AA |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard |
| وصف: | DIODE GEN PURP 600V 60A TO268AA |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 650µA @ 600V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 60A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لDSEP60-06AT
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
DSEP60-04A | IXYS | DIODE GEN PURP 400V 60A TO247 | تحقيق |
 |
DSEP60-12AR | IXYS | DIODE GEN 1.2KV 60A ISOPLUS247 | تحقيق |
 |
STTH512B-TR | STMicroelectronics | DIODE GEN PURP 1.2KV 5A DPAK | تحقيق |
 |
DSEP60-12A | IXYS | DIODE GEN PURP 1.2KV 60A TO247AD | تحقيق |
|
DSEP60-025A | IXYS | DIODE GEN PURP 250V 60A TO247AD | تحقيق |
|
DSEP60-06A | IXYS | DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD | تحقيق |
 |
CS1D-E3/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GPP 1A 200V DO-214AC SMA | تحقيق |
 |
DSEP6-06BS | IXYS | DIODE GEN PURP 600V 6A TO252AA | تحقيق |
|
DSEP6-06AS | IXYS | DIODE GEN PURP 600V 6A TO252AA | تحقيق |
 |
BAS321,115 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323 | تحقيق |
 |
PDS4150Q-13 | Diodes Incorporated | DIODE SCHOTTKY 150V 4A POWERDI5 | تحقيق |
|
DSEP60-03A | IXYS | DIODE GEN PURP 300V 60A TO247 | تحقيق |
 |
IDW32G65C5BXKSA2 | Infineon Technologies | DIODE SCHOTTKY 650V 32A TO247-3 | تحقيق |
 |
VFT1080S-E3/4W | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 10A 80V ITO-220AB | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers