يشترى EM6K31GT2R مع BYCHPS
شراء مع ضمان
EM6K31GT2R
- رقم القطعة:
- EM6K31GT2R
- الصانع:
- LAPIS Semiconductor
- وصف:
- MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13742 Pieces
- ورقة البيانات:
- EM6K31GT2R.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل EM6K31GT2R ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك EM6K31GT2R عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.3V @ 1mA |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | EMT6 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 2.4 Ohm @ 250mA, 10V |
| السلطة - ماكس: | 120mW |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | SOT-563, SOT-666 |
| اسماء اخرى: | EM6K31GT2RTR |
| درجة حرارة التشغيل: | 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | EM6K31GT2R |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 15pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | - |
| نوع FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET الميزة: | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| وصف موسع: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 250mA 120mW Surface Mount EMT6 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 60V |
| وصف: | MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 250mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لEM6K31GT2R
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SI7964DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO-8 | تحقيق |
 |
ZXMD65N03N8TA | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC | تحقيق |
 |
SI4388DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 10.7A 8-SOIC | تحقيق |
 |
EM6K33T2R | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6 | تحقيق |
 |
SI9936DY,518 | NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 5A SOT96-1 | تحقيق |
 |
DMN2050LFDB-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 6UDFN | تحقيق |
|
EM6K34T2CR | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6 | تحقيق |
|
SQJQ900E-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET ARRAY 2N-CH 40V PWRPAK8X8 | تحقيق |
 |
CSD85312Q3E | Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON | تحقيق |
 |
APTC60AM18SCG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 600V 143A SP6 | تحقيق |
|
EM6K31T2R | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6 | تحقيق |
 |
SI3951DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 6-TSOP | تحقيق |
 |
ALD210802SCL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC | تحقيق |
|
FDS9945 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SO | تحقيق |
|
SI6544BDQ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-TSSOP | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog