EMA3T2R - Rohm Semiconductor - الترانزستورات - ثنائي القطب (بجت) - صفائف، قبل منح EMA3T2R

EMA3T2R

رقم القطعة:: EMA3T2R

الصانع:: LAPIS Semiconductor

وصف:: TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W

حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

الكمية المتوفرة:: 19608 Pieces

ورقة البيانات:: EMA3T2R.pdf

تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل EMA3T2R ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك EMA3T2R عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.

يشترى EMA3T2R مع BYCHPS

شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس):	50V
اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم:	300mV @ 250µA, 5mA
نوع الترانزستور:	2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
تجار الأجهزة حزمة:	EMT5
سلسلة:	-
المقاوم - باعث قاعدة (R2) (أوم):	-
المقاوم - قاعدة (R1) (أوم):	4.7k
السلطة - ماكس:	150mW
التعبئة والتغليف:	Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:	6-SMD (5 Leads), Flat Lead
تصاعد نوع:	Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):	1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:	10 Weeks
الصانع الجزء رقم:	EMA3T2R
تردد - تحول:	250MHz
وصف موسع:	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT5
وصف:	TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W
العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE:	100 @ 1mA, 5V
الحالي - جامع القطع (ماكس):	500nA (ICBO)
الحالي - جامع (IC) (ماكس):	100mA
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لEMA3T2R

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
BCR183SE6433BTMA1	Infineon Technologies	TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363	تحقيق
RN4985,LF(CT	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6	تحقيق
NSBC143ZDP6T5G	ON Semiconductor	TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963	تحقيق
DMC261030R	Panasonic Electronic Components	TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W MINI5	تحقيق
NSBA143EDXV6T1	ON Semiconductor	TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563	تحقيق
PUMD48,165	Nexperia USA Inc.	TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار