RN4985,LF(CT
RN4985,LF(CT
رقم القطعة:
RN4985,LF(CT
الصانع:
Toshiba Semiconductor
وصف:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
12862 Pieces
ورقة البيانات:
RN4985,LF(CT.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل RN4985,LF(CT ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك RN4985,LF(CT عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى RN4985,LF(CT مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس):50V
اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم:300mV @ 250µA, 5mA
نوع الترانزستور:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
تجار الأجهزة حزمة:US6
سلسلة:-
المقاوم - باعث قاعدة (R2) (أوم):47k
المقاوم - قاعدة (R1) (أوم):2.2k
السلطة - ماكس:200mW
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
اسماء اخرى:RN4985(T5L,F,T)
RN4985(T5LFT)TR
RN4985(T5LFT)TR-ND
RN4985,LF(CB
RN4985LF(CBTR
RN4985LF(CBTR-ND
RN4985LF(CT
RN4985LF(CTTR
RN4985T5LFT
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:10 Weeks
الصانع الجزء رقم:RN4985,LF(CT
تردد - تحول:250MHz, 200MHz
وصف موسع:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 200mW Surface Mount US6
وصف:TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE:80 @ 10mA, 5V
الحالي - جامع القطع (ماكس):100µA (ICBO)
الحالي - جامع (IC) (ماكس):100mA
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات